Виртуальный прибор  для расчета параметров эпитаксиальных слоев при выращивании гетероструктур

Кирилл Владиславович Сухорученков; Евгения Владимировна Мараева; Ольга Анатольевна Александрова

doi:10.32603/10.32603/2071-2340-2023-1-96-105

Кирилл Владиславович Сухорученков Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия
Евгения Владимировна Мараева Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия
Ольга Анатольевна Александрова Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия

DOI: https://doi.org/10.32603/10.32603/2071-2340-2023-1-96-105

Ключевые слова: эпитаксия, твердый раствор, параметр решетки, энергетический параметр, полупроводниковый монокристалл, среда программирования LabVIEW

Аннотация

Работа посвящена созданию программы, позволяющей моделировать процесс эпитаксии и выращивания полупроводниковых монокристаллов в зависимости от технологических параметров. Рассматривается процесс ориентированного роста одного кристалла на поверхности другого. Термин «ориентированный рост» предполагает, что при наличии большого числа центров зарождения и их дальнейшей коалесценции (процесс слияния частиц внутри подвижной среды (жидкости, газа) или на поверхности тела) формирующийся эпитаксиальный слой будет монокристаллическим, что позволяет указать плоскости и направления в подложке и эпитаксиальном слое, одинаковым образом ориентированные в пространстве. Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в условиях дистанционного обучения и в очном режиме.

Биографии авторов

Кирилл Владиславович Сухорученков, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия

Студент 2 курса магистратуры, кафедра Микрои наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», skv1999@yandex.ru

Евгения Владимировна Мараева, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры Микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», jenvmar@mail.ru

Ольга Анатольевна Александрова, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), ул. Профессора Попова, 5, корп. 3, 197022, Санкт-Петербург, Россия

Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры Микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», oaaleksandrova@gmail.com

Литература

J. Travis, LabVIEW for Everyone, Мoscow: DMK Press; PriborKomplekt, 2005 (in Russian).

O. A. Aleksandrova, A. O. Lebedev, and E. V. Maraeva, Vvedenie v tekhnologiyu materialov mikroelektroniki, vol. 1., Saint Petersburg, Russia: Izd-vo LAN, 2023 (in Russian).

O. A. Aleksandrova, A. O. Lebedev, and E. V. Maraeva, Vvedenie v tekhnologiyu materialov mikroelektroniki, vol. 3., Saint Petersburg, Russia: Izd-vo LAN, 2023 (in Russian).

K. V. Sukhoruchenkov, E. V. Maraeva, and O. A. Alexandrova, “Simulation of the Process of Growing Semiconductor Single Crystals by the Czochralski Method,” Computer tools in education, no. 4, pp. 99–108, 2021 (in Russian); doi:10.32603/2071-2340-2021-4-99-108

K. Suchoruchenkov, E. Maraeva, and O. Alexandrova, “Simulation of Purification Conditions and the Process of Growing Semiconductor Single Crystals by the Zone Melting Method,” Computer tools in education, no. 2, pp. 19–31, 2022 (in Russian); doi:10.32603/2071-2340-2022-2-19-31

L. Matyushkin, “Software For Absorption And Luminescence Spectra reseach Of Quantum-sized Nanostructures,” Tekhnicheskie nauki — ot teorii k praktike, no. 24, pp. 154–158, 2013 (in Russian).