Моделирование процесса выращивания полупроводниковых монокристаллов методом Чохральского
DOI:
https://doi.org/10.32603/2071-2340-2021-4-99-108Ключевые слова:
метод Чохральского, полупроводниковый монокристалл, среда программирования LabVIEW, уравнение электронейтральностиАннотация
Работа посвящена созданию виртуального прибора в среде LabVIEW, позволяющего моделировать процесс выращивания кристалла в зависимости от технологических параметров. В качестве рассматриваемого технологического процесса выбран метод выращивания монокристаллов путем вытягивания их вверх со свободной поверхности большого объема расплава с инициированием начала кристаллизации путем внесения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации, находящегося в контакте со свободной
поверхностью расплава (метод Чохральского). Виртуальный прибор предназначен для использования студентами и преподавателями в очном режиме и в условиях дистанционного обучения.
Библиографические ссылки
J. Travis, LabVIEW for edition – Prentice Hall, Мoscow: DMK Press; PriborKomplekt, 2005 (in Russian).
N. A. Lashkova, N. V. Permiakov, A. I. Maximov, Yu. M. Spivak, and V. A. Moshnikov, “Local Analysis Of Semiconductor Nanoobjects By Scanning Tunneling atomic Force Microscopy,” St. Petersburg Polytechnic University Journal — Physics and Mathematics, no. 213, pp. 31–42, 2015 (in Russian); doi: 10.5862/JPM.213.3
L. Matyushkin, “Software For Absorption And Luminescence Spectra reseach Of Quantum-sized Nanostructures,” Tekhnicheskie nauki — ot teorii k praktike, no. 24, pp. 154–158, 2013 (in Russian).
Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov, Tekhnologiya poluprovodnikovykh i dielektricheskikh materialov: ucheb. dlya vuzov, St. Petersburg, Russia: Izd-vo “Lan”, 2003 (in Russian).
D. D. Avrov, O. A. Aleksandrova, A. O. Lebedev, et al., Tekhnologiya materialov mikroelektroniki: ot mineral’nogo syr’ya k monokristallu: ucheb. posobie, St. Petersburg, Russia: Izd-vo SPbGETU “LETI”, 2017
(in Russian).
X. F. Qi, W. C. Ma, Y. F. Dang, et al., “Optimization of the melt/crystal interface shape and oxygen concentration during the Czochralski silicon crystal growth process using an artificial neural network and a genetic algorithm,” Journal of Crystal Growth, vol. 548, p. 125828, 2020; doi: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125828
C. M. Chen, R. X. Yang, N. F. Sun, et al., “Influence of melt convection on distribution of indium inclusions in liquid-encapsulated Czochralski-grown indium phosphide crystals,” Journal of Materials Science-Materials in Electronics, vol. 31, no. 22, pp. 20160–20167, 2020; doi: 10.1007/s10854-020-04537-7
J. Zhang, D. Liu, Y. N. Pan, “Suppression of oxygen and carbon impurity deposition in the thermal system of Czochralski monocrystalline silicon,” J. Semiconductors, vol. 41, no. 10, p. 102702, 2020.
M. S. Vegad and N. Bhatt, “Numerical Investigation of Effect of Temperature Profile Imposed on the Crucible Surface on Oxygen Incorporated at the Crystal Melt Interface for 450 mm Diameter Silicon Single Crystal Growth in Presence of CUSP Magnetic Field Using Czochralski Technique,” Silicon, vol. 13, no. 11, pp. 3909-3925; doi: 10.1007/s12633-020-00655-3
Загрузки
Опубликован
Выпуск
Раздел
Лицензия
Материал публикуется под лицензией:
